Numărul de produs al producătorului:
IPI200N15N3 G
Product Overview
Producător:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Cod de parte:
IPI200N15N3 G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventar:
12800131
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IPI200N15N3 G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Infineon Technologies
Ambalare
-
Serie
OptiMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1820 pF @ 75 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PG-TO262-3
Pachet / Carcasă
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numărul de bază al produsului
IPI200N
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
IPI200N15N3G
IPI200N15N3 G-DG
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPD60R1K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
IPD60R600E6
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
IPB140N08S404ATMA1
MOSFET N-CH 80V 140A TO263-7